ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
RN2711(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
арт:
757-RN2711TE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2711JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2711JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2712JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2712JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2713JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2713JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2901,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2901LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2901,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm -50V (SOT-363)
арт:
757-RN2901LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm 4.7kOhm -50V (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2901FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
арт:
757-RN2901FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2902,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2902LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2902,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2902FE,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2902FELF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2902FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2902FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2903,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2903LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2903,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
арт:
757-RN2903LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2903FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2903FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2903FE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
арт:
757-RN2903FETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2904,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2904LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2904,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2904FE,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN
арт:
757-RN2904FELF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2904FE,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2904FELF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2904FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2904FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад: