ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
RN2905,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2905LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2905,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
арт:
757-RN2905LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2905FE,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2905FELF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2905FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2905FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2905FE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
арт:
757-RN2905FETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2906,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased US6-PLN
арт:
757-RN2906LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased US6-PLN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2906,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2906LF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2906,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
арт:
757-RN2906LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP x 2 , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2906FE,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2906FELFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2906FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
арт:
757-RN2906FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2907,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2907LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2907,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 10kOhm, 47kOhm, 10kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
арт:
757-RN2907LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 10kOhm, 47kOhm, 10kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2907FE,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
арт:
757-RN2907FELF(CT
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2907FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2907FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2908,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2908LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2908,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
арт:
757-RN2908LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2908FE,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
арт:
757-RN2908FELXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2908FE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
арт:
757-RN2908FETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2909,LF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2909LFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2909,LXHF(CT Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, -50V (SOT-363)
арт:
757-RN2909LXHFCT
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 47kOhm, 22kOhm, 47kOhm, 22kOhm, -50V (SOT-363)
производитель:
Toshiba
Склад: