ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
RN2702JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2702TE85LF Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
арт:
757-RN2702TE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2703,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2703LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2703JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2703JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2704,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2704JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2704JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2705,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2705LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2705JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2705JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2706,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2706LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2706JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
Bipolar Transistors - Pre-Biased Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2707,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2707LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2707JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2707JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2708,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2708LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2708JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2708JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2709,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2709LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2709JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2709JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2710,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
арт:
757-RN2710LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2710JE(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
арт:
757-RN2710JETE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2711,LF Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT SOT-353 50V
арт:
757-RN2711LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT SOT-353 50V
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
RN2711(TE85L,F) Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
арт:
757-RN2711TE85LF
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
производитель:
Toshiba
Склад: