КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиAS4C8M16SA-6BINTR

AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40?85°C, ALLIANCE

Арт:
AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40?85°C, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS4C8M16SA-6BINTR
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40?85°C
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40?85°C Технические параметры
    • Access time: 5.4ns
    • Case: FBGA54
    • Clock frequency: 166MHz
    • Kind of memory: SDRAM
    • Kind of package: reel
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 128Мбит
    • Memory organisation: 2Mx16bitx4
    • Mounting: SMD
    • Operating temperature: -40...85°C
    • Operating voltage: 3.3V
    • Type of integrated circuit: DRAM memory