КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиAS4C32M16SB-7BIN

AS4C32M16SB-7BIN, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II, ALLIANCE

Арт:
AS4C32M16SB-7BIN, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS4C32M16SB-7BIN
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II Технические параметры
    • Access time: 5.4ns
    • Case: TSOP54 II
    • Clock frequency: 143MHz
    • Kind of memory: SDRAM
    • Kind of package: in-tray
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 512Мбит
    • Memory organisation: 8Mx16bitx4
    • Mounting: SMD
    • Operating temperature: -40...85°C
    • Operating voltage: 3.3V
    • Type of integrated circuit: DRAM memory