КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиAS4C16M16SB-6TINTR

AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40?85°C, ALLIANCE

Арт:
AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40?85°C, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS4C16M16SB-6TINTR
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40?85°C
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40?85°C Технические параметры
    • Access time: 5ns
    • Case: TSOP54 II
    • Clock frequency: 166MHz
    • Kind of memory: SDRAM
    • Kind of package: reel
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 256Мбит
    • Memory organisation: 16Mx16bit
    • Mounting: SMD
    • Operating temperature: -40...85°C
    • Operating voltage: 3.3V
    • Type of integrated circuit: DRAM memory