КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиAS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40?85°C, ALLIANCE

Арт:
AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40?85°C, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS4C16M16D1-5BINTR
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40?85°C
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40?85°C Технические параметры
    • Access time: 15ns
    • Clock frequency: 200MHz
    • Kind of memory: SDRAM
    • Kind of package: reel
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 256Мбит
    • Memory organisation: 16Mx16bit
    • Mounting: SMD
    • Operating temperature: -40...85°C
    • Operating voltage: 2.5V
    • Type of integrated circuit: DRAM memory