КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы энергонезависимой памятиAS4C512M16D3LB-12BIN

AS4C512M16D3LB-12BIN, IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96, ALLIANCE

Арт:
AS4C512M16D3LB-12BIN, IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS4C512M16D3LB-12BIN
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96 Технические параметры
    • Access time: 13.75ns
    • Case: FBGA96
    • Clock frequency: 800MHz
    • Kind of memory: SDRAM
    • Kind of package: in-tray
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 8Гбит
    • Memory organisation: 512Mx16bit
    • Mounting: SMD
    • Operating temperature: -40...95°C
    • Operating voltage: 1.35V
    • Type of integrated circuit: DRAM memory