КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы памятиSRAMAS6C8016-55ZIN

AS6C8016-55ZIN, Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,9В; 55нс; TSOP44 II, ALLIANCE

Арт: 301-51-433
AS6C8016-55ZIN, Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,9В; 55нс; TSOP44 II, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт: 301-51-433
  • Наименование: AS6C8016-55ZIN
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,9В; 55нс; TSOP44 II
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,9В; 55нс; TSOP44 II Технические параметры
    • Access Time: 55ns
    • Access time: 55ns
    • Accessory Product Type: Tray
    • Case: TSOP44 II
    • Height: 1mm
    • Housing: TSOP44 II
    • Integrated circuit type: микросхема памяти
    • Integrated circuits features: low power
    • Interfaces: Parallel
    • Kind of memory: SRAM
    • Length: 18.42mm
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 8Мбит
    • Memory organisation: 512Кx16бит
    • Memory Size: 8Мбайт
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • Operating Temperature Max.: 85°C
    • Operating Temperature Min.: -40°C
    • Operating voltage: 2.7...5.9В
    • Organisation: 512 k x 16 Bit
    • Package Type: TSOP-II
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Shoe Size: 44
    • Supply Current: 60mA
    • Supply Voltage Max.: 5.5V
    • Supply Voltage Min.: 2.7V
    • Width: 11.76mm
    • Характерные особенности: low power