КаталогАктивные компонентыЦифровые микросхемы, инструменты разработчикаМикросхемы памятиSRAMAS6C8016-55BIN

AS6C8016-55BIN, Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48, ALLIANCE

Арт:
AS6C8016-55BIN, Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48, ALLIANCE
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: AS6C8016-55BIN
  • Производитель: ALLIANCE
  • Доп.наименование: Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48 Технические параметры
    • Access time: 55ns
    • Case: TFBGA48
    • Housing: TFBGA48
    • Integrated circuit type: микросхема памяти
    • Integrated circuits features: low power
    • Kind of memory: SRAM
    • Manufacturer: ALLIANCE
    • Memory capacity: 8Мбит
    • Memory organisation: 512Кx16бит
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Operating voltage: 2.7...5.11В
    • Характерные особенности: synchronous