КаталогАктивные компонентыАналоговые микросхемыТаймеры и генераторыМикросхемы таймераCY7C1061G30-10ZSXI

CY7C1061G30-10ZSXI, Память SRAM; 1Mx16бит; 2,2?3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный, Infineon

Арт:
CY7C1061G30-10ZSXI, Память SRAM; 1Mx16бит; 2,2?3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: CY7C1061G30-10ZSXI
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Память SRAM; 1Mx16бит; 2,2?3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Память SRAM; 1Mx16бит; 2,2?3,6В; 10нс; TSOP54 II; параллельный Технические параметры
    • Access time: 10ns
    • Case: TSOP54 II
    • Kind of interface: parallel
    • Kind of memory: SRAM
    • Manufacturer: Infineon
    • Memory capacity: 16Мбит
    • Memory organisation: 1Mx16bit
    • Mounting: SMD
    • Operating voltage: 2.2...3.6V
    • Type of integrated circuit: SRAM memory