КаталогАктивные компонентыАналоговые микросхемыТаймеры и генераторыМикросхемы таймераCY7C1019DV33-10VXI

CY7C1019DV33-10VXI, Память SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ32; параллельный; 400mils, Infineon

Арт:
CY7C1019DV33-10VXI, Память SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ32; параллельный; 400mils, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: CY7C1019DV33-10VXI
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Память SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ32; параллельный; 400mils
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Память SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ32; параллельный; 400mils Технические параметры
    • Access time: 10ns
    • Case: SOJ32
    • Kind of interface: parallel
    • Kind of memory: SRAM
    • Manufacturer: Infineon
    • Memory capacity: 1Мбит
    • Memory organisation: 128kx8bit
    • Mounting: SMD
    • Operating voltage: 3...3.6V
    • Type of integrated circuit: SRAM memory