КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТиристоры, модулиТиристорыBT169G,112

BT169G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А, WEEN SEMICONDUCTORS

Арт:
BT169G,112, Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А, WEEN SEMICONDUCTORS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BT169G,112
  • Производитель: WEEN SEMICONDUCTORS
  • Доп.наименование: Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Тиристор; 600В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 200мкА; TO92; THT; Ifsm: 8А Технические параметры
    • Case: TO92
    • Gate current: 200µA
    • Manufacturer: WEEN SEMICONDUCTORS
    • Max. forward impulse current: 8A
    • Max. load current: 0.8A
    • Mounting: THT
    • Off state voltage max.: 600V
    • Type of thyristor: thyristor