IGBT module SEMITRANS 3 1200 V Семейство Модули биполярного транзистора с изолированным затвором, SPT, полумост, SEMITRANS
Модули биполярного транзистора с изолированным затвором с мягким пробоем базы (SPT)
Оптимизированные потери от прямого тока мощности и переключения
Подходит для коммутации с частотой до 20 kHz Технические параметры
- Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.1V
- Collector-Emitter Voltage (Vceo): 1.2kV
- Configuration: Half Bridge
- Continuous Collector Current (Ic): 223A
- Emitter Leakage Current: 2mA
- Energy Dissipation During Make-Time: 18.7mJ
- Energy Dissipation During Turn-Off Time: 14.1mJ
- Height Units: 3
- Manufacturer: SEMIKRON
- Operating Temperature Max.: 175°C
- Operating Temperature Min.: -40°C
- Optical Sensor Output Type: NPN
- Package Type: Module
- Ripple & Noise (%): -999
- Termination Type: Screw
