IGBT module SEMITRANS 3 1200 V Семейство Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором, паз, полумост, SEMITRANS
Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором под паз
Низкое напряжение проводимости Технические параметры
- Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.1V
- Collector-Emitter Voltage (Vceo): 1.2kV
- Configuration: Half Bridge
- Continuous Collector Current (Ic): 470A
- Emitter Leakage Current: 4mA
- Energy Dissipation During Make-Time: 29mJ
- Energy Dissipation During Turn-Off Time: 48mJ
- Height Units: 3
- Manufacturer: SEMIKRON
- Operating Temperature Max.: 150°C
- Operating Temperature Min.: -40°C
- Optical Sensor Output Type: NPN
- Package Type: Module
- Ripple & Noise (%): -999
- Termination Type: Screw
