IGBT module SEMITOP 3 1200 V Семейство Мосты модуля биполярного транзистора с изолированным затвором SEMITOP
Компактная конструкция
Требуется только один винт крепления Технические параметры
- Manufacturer: SEMIKRON
- Крепление: 1 x M4
- Соединение: Штырьки для пайки
- Тип корпуса: SEMITOP 3
- Configuration: 3-phase
- Ток коллектора: 40 A Ts=25 °C
- Указание по заказу: Винты заказываются отдельно, см. Раздел 48
- Напряжение коллектор-эммитер: 1200 В
- Рассеяние энергии во время включения: 4.6 mJ
- Рассеяние энергии во время выключения: 4.3 mJ
- Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 1.7 В
