КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSTT181GK12B

STT181GK12B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 181А, Sirectifier

Арт:
STT181GK12B, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 181А, Sirectifier
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STT181GK12B
  • Производитель: Sirectifier
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 181А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,2кВ; 181А Технические параметры
    • Case: 34mm
    • Electrical mounting: screw
    • Features of semiconductor devices: glass passivated
    • Gate current: 150mA
    • Load current: 181A
    • Manufacturer: Sirectifier
    • Max. forward impulse current: 5.25kA
    • Max. forward voltage: 1.65V
    • Max. load current: 284A
    • Mechanical mounting: screw
    • Module type: thyristor
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: double series
    • Threshold on-voltage: 0.88V