КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTMMO90-12IO6

MMO90-12IO6, Модуль: тиристорный; обратный; 1,2кВ; 50А; SOT227B; Ufmax: 1,2В, IXYS

Арт: 302-53-519
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-53-519
  • Наименование: MMO90-12IO6
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; обратный; 1,2кВ; 50А; SOT227B; Ufmax: 1,2В
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: тиристорный; обратный; 1,2кВ; 50А; SOT227B; Ufmax: 1,2В Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Current It(av): 50A
    • Electrical mounting: screw
    • Forward Voltage (Vf): 1.2V
    • Gate current: 100/200mA
    • Gate Trigger Current (Igt): 100mA
    • Gate Trigger Voltage (Vgt): 1.5V
    • Height Units: 4
    • Insulation Voltage: 3kV
    • Load current: 50A
    • Manufacturer: IXYS
    • Max. forward impulse current: 800A
    • Max. forward voltage: 1.2V
    • Module type: thyristor
    • Mounting: screw
    • Mounting Type: SMD
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • ON State RMS Current (It(rms)): 110A
    • Operating Temperature Max.: 125°C
    • Operating Temperature Min.: -40°C
    • Package Type: SOT-227B
    • Packaging: Tube
    • Peak Non-Repetitive Surge Current (Itsm): 800A
    • Peak Repetitive Off-State Voltage (Vdrm): 1.2kV
    • Semiconductor structure: opposing