КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTMT110C16T1

MT110C16T1, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 110А; T1, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
MT110C16T1, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 110А; T1, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MT110C16T1
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 110А; T1
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 110А; T1 Технические параметры
    • Case: T1
    • Electrical mounting: screw
    • Features of semiconductor devices: glass passivated
    • Gate current: 150mA
    • Load current: 110A
    • Manufacturer: YANGJIE TECHNOLOGY
    • Max. forward impulse current: 1.9kA
    • Max. forward voltage: 1.65V
    • Module type: thyristor
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.6kV
    • Semiconductor structure: double series
    • Threshold on-voltage: 0.9V