КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSTT320GK18BT

STT320GK18BT, Модуль; два последовательных диода; 1,8кВ; 320А; 52MM; Ufmax:1,6В, Sirectifier

Арт:
STT320GK18BT, Модуль; два последовательных диода; 1,8кВ; 320А; 52MM; Ufmax:1,6В, Sirectifier
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: STT320GK18BT
  • Производитель: Sirectifier
  • Доп.наименование: Модуль; два последовательных диода; 1,8кВ; 320А; 52MM; Ufmax:1,6В
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль; два последовательных диода; 1,8кВ; 320А; 52MM; Ufmax:1,6В Технические параметры
    • Case: 52mm
    • Electrical mounting: screw
    • Gate current: 150mA
    • Load current: 320A
    • Manufacturer: Sirectifier
    • Max. forward impulse current: 9.2kA
    • Max. forward voltage: 1.6V
    • Module type: thyristor
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.8kV
    • Semiconductor structure: double series
    • Threshold on-voltage: 0.8V