КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTMMO62-12IO6

MMO62-12IO6, Модуль: тиристорный; 1,2кВ; винтами; SOT227B; 100мА; винтами, IXYS

Арт: 302-53-515
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-53-515
  • Наименование: MMO62-12IO6
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Модуль: тиристорный; 1,2кВ; винтами; SOT227B; 100мА; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: тиристорный; 1,2кВ; винтами; SOT227B; 100мА; винтами Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Electrical mounting: винтами
    • Forward current: 30A
    • Forward voltage max.: 1.29V
    • Gate current: 100mA
    • Housing: SOT227B
    • Load current: 30A
    • Manufacturer: IXYS
    • Max. forward impulse current: 400A
    • Max. forward voltage: 1.29V
    • Modular: тиристорный
    • Module type: thyristor
    • Mount: винтами
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Semiconductor structure: тиристор/тиристор