Модуль: тиристорный; 2,2кВ; винтами; BG-PB50AT-1; 200мА; винтами Технические параметры
- Case: BG-PB50AT-1
- Electrical mounting: винтами
- Forward current: 450A
- Forward voltage max.: 1.45V
- Gate current: 200mA
- Housing: BG-PB50AT-1
- Load current: 450A
- Manufacturer: Infineon
- Max. forward impulse current: 8kA
- Max. forward voltage: 1.45V
- Modular: тиристорный
- Module type: thyristor
- Mount: винтами
- Mounting: screwed
- Off state voltage max.: 2.2kV
- Semiconductor structure: тиристор/тиристор