КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSKM 50GD125D

SKM 50GD125D, 3-фазный мост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; Ifsm:100А; SEMITRANS6, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM 50GD125D
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: 3-фазный мост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; Ifsm:100А; SEMITRANS6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    3-фазный мост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; Ifsm:100А; SEMITRANS6 Технические параметры
    • Application: Inverter
    • Case: SEMITRANS6
    • Collector current: 73A
    • Electrical mounting: connectors
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Housing: SEMITRANS6
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Max. forward impulse current: 100A
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Topology: IGBT half-bridge x3
    • Transistor type: IGBT
    • Variant: D67
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2kV