Модуль: IGBT; 1,2кВ; 200А; D56,SEMITRANS3 Технические параметры
- Application: Inverter
- Case: SEMITRANS3
- Collector current: 200A
- Electrical mounting: soldered
- Gate - emitter voltage: 20V
- Housing: SEMITRANS3
- Manufacturer: SEMIKRON
- Max. forward impulse current: 40A
- Module type: IGBT
- Mount: винтами
- Mounting: screwed
- Off state voltage max.: 1.2kV
- Operating temperature: -40...150°C
- Pulsed collector current: 300A
- Semiconductor structure: diode/transistor
- Topology: 3-phase rectifier
- Transistor type: IGBT
- Turn-off time: 25ns
- Turn-on time: 36ns
- Variant: D56
- Мощность: 94W
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.3V