КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTIXGN200N60B3

IXGN200N60B3, Транзистор: IGBT; 600В; 200А; 830Вт; SOT227B, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXGN200N60B3
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 600В; 200А; 830Вт; SOT227B
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 600В; 200А; 830Вт; SOT227B Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 200A
    • Electrical mounting: screwed
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Housing: SOT227B
    • Manufacturer: IXYS
    • Max. forward impulse current: 1.2kA
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 600V
    • Operating temperature: -55...150°C
    • Topology: single transistor
    • Transistor type: IGBT
    • Мощность: 830W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 600V