КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTSKM200GB12T4

SKM200GB12T4, SEMIKRON

Арт:
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Manufacturer: SEMIKRON
    Структура: полумост 
    Максимальное напряжение КЭ:  1200 В 
    Максимальный ток КЭ при 25°C: 313 A  
    Рабочая температура: -40…+175  °C 
    Корпус SEMITRANS3 
    Версия D56 
    Импульсный ток 600А 
    Конструкция диода транзистор/транзистор 
    Монтаж винтами