КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули IGBTFF100R12RT4HOSA1

FF100R12RT4HOSA1, Infineon

Арт: 302-83-938
FF100R12RT4HOSA1, Infineon
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Accessory Product Type: Tray
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 1.75V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 1.2kV
    • Configuration: Dual
    • Continuous Collector Current (Ic): 100A
    • Emitter Leakage Current: 100nA
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -40°C
    • Power Dissipation (Pd): 555W
    • Transistor Polarity: N-Channel