STN1NK80Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 160мА; 2,5Вт; SOT223, STM
Арт: 303-74-357
- добавить в избранное
- Арт: 303-74-357
- Наименование: STN1NK80Z
- Производитель: STM
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 160мА; 2,5Вт; SOT223
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 160мА; 2,5Вт; SOT223 Технические параметры
- Case: SOT223
- Drain current: 160mA
- Drain-source voltage: 800V
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
- Gate-source voltage: ±30V
- Kind of package: tape
- Manufacturer: STM
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 16000mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 2.5W
- Technology: SuperMesh™
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tmstn1nk80z.pdf