КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SIHB12N60E-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK Технические параметры
    • #Promotion: vishay_201906
    • Case: D2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 7.8A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 58нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 0.38Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 147W
    • Type of transistor: N-MOSFET
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >