КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETSI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SI8487DB-T1-E1
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт Технические параметры
    • Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -6.4A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Gate charge: 80нКл
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Vishay
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 45mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1.8/0.73W
    • Type of transistor: P-MOSFET
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >