КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETNTS4173PT1G

NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: NTS4173PT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт Технические параметры
    • Case: SOT323
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -0.8A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Gate charge: 10.1нКл
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 150mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 290mW
    • Pulsed drain current: -5A
    • Type of transistor: P-MOSFET