КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторные модулиМодули MOSFETNTA4153NT1G

NTA4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-30-956
NTA4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-30-956
  • Наименование: NTA4153NT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75 Технические параметры
    • Case: SC75
    • Continuous Drain Current (Id): 915mA
    • Drain current: 0.915A
    • Drain-source voltage: 20V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 20V
    • Fall Time: 7.6ns
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 1.82нКл
    • Gate-Source Voltage: 6V
    • Gate-source voltage: ±6V
    • Height Units: 3
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 950mΩ
    • On-State Resistance: 950mΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SC-75
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.3W
    • Power Dissipation (Pd): 300mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 4.4ns
    • Transistor Polarity: N-Channel
    • Turn-OFF Delay Time: 25ns
    • Turn-ON Delay Time: 3.7ns
    • Type of transistor: N-MOSFET