КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыСимисторыBTA312-800ET,127

BTA312-800ET,127, Симистор; 800В; 12А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com, WEEN SEMICONDUCTORS

Арт:
BTA312-800ET,127, Симистор; 800В; 12А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com, WEEN SEMICONDUCTORS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BTA312-800ET,127
  • Производитель: WEEN SEMICONDUCTORS
  • Доп.наименование: Симистор; 800В; 12А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Симистор; 800В; 12А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com Технические параметры
    • Case: TO220AB
    • Features of semiconductor devices: sensitive gate
    • Gate current: 10mA
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: WEEN SEMICONDUCTORS
    • Max. forward impulse current: 100A
    • Max. load current: 12A
    • Mounting: THT
    • Off state voltage max.: 800V
    • Technology: Hi-Com
    • Type of thyristor: triac