КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыСимисторыBTA2008-800E,412

BTA2008-800E,412, Симистор; 800В; 0,8А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com, WEEN SEMICONDUCTORS

Арт:
BTA2008-800E,412, Симистор; 800В; 0,8А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com, WEEN SEMICONDUCTORS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BTA2008-800E,412
  • Производитель: WEEN SEMICONDUCTORS
  • Доп.наименование: Симистор; 800В; 0,8А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Симистор; 800В; 0,8А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 9А; 3Q,Hi-Com Технические параметры
    • Case: TO92
    • Features of semiconductor devices: sensitive gate
    • Gate current: 10mA
    • Manufacturer: WEEN SEMICONDUCTORS
    • Max. forward impulse current: 9A
    • Max. load current: 0.8A
    • Mounting: THT
    • Off state voltage max.: 800V
    • Technology: Hi-Com
    • Type of thyristor: triac