КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыСимисторыBT137S-800E,118

BT137S-800E,118, Симистор; 800В; 8А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 65А; 4Q; sensitive gate, WEEN SEMICONDUCTORS

Арт:
BT137S-800E,118, Симистор; 800В; 8А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 65А; 4Q; sensitive gate, WEEN SEMICONDUCTORS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BT137S-800E,118
  • Производитель: WEEN SEMICONDUCTORS
  • Доп.наименование: Симистор; 800В; 8А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 65А; 4Q; sensitive gate
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Симистор; 800В; 8А; DPAK; Igt: 10/25мА; Ifsm: 65А; 4Q; sensitive gate Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Features of semiconductor devices: sensitive gate
    • Gate current: 10/25mA
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: WEEN SEMICONDUCTORS
    • Max. forward impulse current: 65A
    • Max. load current: 8A
    • Mounting: SMD
    • Off state voltage max.: 800V
    • Technology: 4Q
    • Type of thyristor: triac