КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыСимисторыZ0109NN0,135

Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q, WEEN SEMICONDUCTORS

Арт:
Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q, WEEN SEMICONDUCTORS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: Z0109NN0,135
  • Производитель: WEEN SEMICONDUCTORS
  • Доп.наименование: Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q Технические параметры
    • Case: SOT223
    • Features of semiconductor devices: sensitive gate
    • Gate current: 10mA
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: WEEN SEMICONDUCTORS
    • Max. forward impulse current: 12.5A
    • Max. load current: 1A
    • Mounting: SMD
    • Off state voltage max.: 800V
    • Technology: 4Q
    • Type of thyristor: triac