КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKM 100GB125DN

SKM 100GB125DN, Модуль: IGBT; 1,2кВ; 100А; D93,SEMITRANS2N, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM 100GB125DN
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Модуль: IGBT; 1,2кВ; 100А; D93,SEMITRANS2N
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Модуль: IGBT; 1,2кВ; 100А; D93,SEMITRANS2N Технические параметры
    • Case: SEMITRANS2N
    • Collector current: 80A
    • Electrical mounting: screwed
    • Gate - emitter voltage: 20V
    • Housing: SEMITRANS2N
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Max. forward impulse current: 150A
    • Module type: IGBT
    • Mount: винтами
    • Mounting: screwed
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Pulsed collector current: 150A
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Topology: IGBT half-bridge
    • Transistor type: IGBT
    • Turn-off time: 20ns
    • Turn-on time: 40ns
    • Variant: D93
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2kV
    • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.3V