IXGH32N170A, Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO247-3, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXGH32N170A
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Case: TO247-3
- Collector current: 21A
- Collector-emitter voltage: 1.7kV
- Features of semiconductor devices: high voltage
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Gate charge: 155нКл
- Kind of package: tube
- Manufacturer: IXYS
- Mounting: THT
- Power dissipation: 350W
- Pulsed collector current: 110A
- Technology: NPT
- Turn-off time: 370ns
- Turn-on time: 107ns
- Type of transistor: IGBT
Документация
tmixgh(t)32n170a.pdf