КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTHGTG10N120BND

HGTG10N120BND, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
HGTG10N120BND, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: HGTG10N120BND
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 298Вт; TO247 Технические параметры
    • Case: TO247
    • Collector current: 35A
    • Collector-emitter voltage: 1.2kV
    • Housing: TO247
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Transistor type: IGBT
    • Мощность: 298W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 1.2kV