КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXDN55N120D1

IXDN55N120D1, Ic: 62А; SOT227B; винтами; винтами; 450Вт; NPT, IXYS

Арт: 171-00-370
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-370
  • Наименование: IXDN55N120D1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 62А; SOT227B; винтами; винтами; 450Вт; NPT
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 62А; SOT227B; винтами; винтами; 450Вт; NPT Семейство Биполярные транзисторы с изолированным затвором Технические параметры
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.8V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 1.2kV
    • Continuous Collector Current (Ic): 100A
    • Emitter Leakage Current: 500nA
    • Gate Emitter Voltage (Vge): 20V
    • Height Units: 4
    • Manufacturer: IXYS
    • Mounting Type: SMD
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -40°C
    • Package Type: SOT-227B
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 450W