КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTHIP2101IBZ

HIP2101IBZ, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2?2А; Каналы: 2; 9?14ВDC; 100В, RENESAS

Арт:
HIP2101IBZ, IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2?2А; Каналы: 2; 9?14ВDC; 100В, RENESAS
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: HIP2101IBZ
  • Производитель: RENESAS
  • Доп.наименование: IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2?2А; Каналы: 2; 9?14ВDC; 100В
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2?2А; Каналы: 2; 9?14ВDC; 100В Технические параметры
    • Case: SO8
    • Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
    • Kind of output: non-inverting
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: RENESAS
    • Mounting: SMD
    • Number of channels: 2
    • Operating temperature: -40...125°C
    • Output current: -2...2A
    • Supply voltage: 9...14V DC
    • Topology: MOSFET half-bridge
    • Type of integrated circuit: driver
    • Voltage class: 100V