КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTG3R45MT17K

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт, GeneSiC

Арт:
G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт, GeneSiC
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: G3R45MT17K
  • Производитель: GeneSiC
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт Технические параметры
    • Case: TO247-4
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 43A
    • Drain-source voltage: 1.7kV
    • Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
    • Gate charge: 182нКл
    • Gate-source voltage: -5...15V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: GeneSiC
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 45mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 438W
    • Pulsed drain current: 160A
    • Technology: SiC
    • Type of transistor: N-MOSFET