КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTBSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт, Infineon

Арт:
BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSC010N04LS6ATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: PG-TDSON-8 FL
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 40V
    • Gate charge: 67нКл
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Infineon
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 150W
    • Technology: OptiMOS™ 6
    • Type of transistor: N-MOSFET