КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTSKM150GB12VG

SKM150GB12VG, Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 169А; SEMITRANS3; винтами; винтами, SEMIKRON

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SKM150GB12VG
  • Производитель: SEMIKRON
  • Доп.наименование: Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 169А; SEMITRANS3; винтами; винтами
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 169А; SEMITRANS3; винтами; винтами Технические параметры
    • Case: SEMITRANS3
    • Collector current: 169A
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: SEMIKRON
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Off state voltage max.: 1.2kV
    • Pulsed collector current: 774A
    • Semiconductor structure: transistor/transistor
    • Topology: IGBT half-bridge