КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1, Ic: 70А; SOT227B; винтами; винтами; 500Вт; GenX3™,XPT™, IXYS

Арт: 302-53-456
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-53-456
  • Наименование: IXYN80N90C3H1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 70А; SOT227B; винтами; винтами; 500Вт; GenX3™,XPT™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 70А; SOT227B; винтами; винтами; 500Вт; GenX3™,XPT™ Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 70A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 2.7V
    • Collector-emitter voltage: 900V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 900V
    • Continuous Collector Current (Ic): 115A
    • Electrical mounting: screw
    • Emitter Leakage Current: 100nA
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Gate Emitter Voltage (Vge): 20V
    • Height Units: 4
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Mounting Type: SMD
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-227B
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power dissipation: 500W
    • Power Dissipation (Pd): 500W
    • Pulsed collector current: 340A
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: XPT™