IXXN200N65A4, Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1,25кВт; GenX4™,XPT™, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXXN200N65A4
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1,25кВт; GenX4™,XPT™
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1,25кВт; GenX4™,XPT™ Технические параметры
- Case: SOT227B
- Collector current: 200A
- Collector-emitter voltage: 650V
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Manufacturer: IXYS
- Module type: IGBT
- Mounting: screw
- Power dissipation: 1.25kW
- Pulsed collector current: 1.2kA
- Semiconductor structure: single transistor
- Technology: XPT™
Документация
tmixxn200n65a4.pdf
