КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1, Ic: 98А; SOT227B; винтами; винтами; 780Вт; GenX3™,XPT™, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXXN200N60C3H1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 98А; SOT227B; винтами; винтами; 780Вт; GenX3™,XPT™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 98А; SOT227B; винтами; винтами; 780Вт; GenX3™,XPT™ Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 98A
    • Collector-emitter voltage: 600V
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Power dissipation: 780W
    • Pulsed collector current: 1kA
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: XPT™