IXXN200N60B3, Ic: 160А; SOT227B; винтами; винтами; 940Вт; GenX3™,XPT™, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXXN200N60B3
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Ic: 160А; SOT227B; винтами; винтами; 940Вт; GenX3™,XPT™
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Ic: 160А; SOT227B; винтами; винтами; 940Вт; GenX3™,XPT™ Технические параметры
- Case: SOT227B
- Collector current: 160A
- Collector-emitter voltage: 600V
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Manufacturer: IXYS
- Module type: IGBT
- Mounting: screw
- Power dissipation: 940W
- Pulsed collector current: 1kA
- Semiconductor structure: single transistor
- Technology: XPT™
Документация
tmixxn200n60b3.pdf
