IXXN110N65C4H1, Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX3™,XPT™, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXXN110N65C4H1
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX3™,XPT™
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX3™,XPT™ Технические параметры
- Case: SOT227B
- Collector current: 110A
- Collector-emitter voltage: 650V
- Electrical mounting: screw
- Gate - emitter voltage: ±20V
- Manufacturer: IXYS
- Module type: IGBT
- Mounting: screw
- Power dissipation: 750W
- Pulsed collector current: 470A
- Semiconductor structure: single transistor
- Technology: XPT™
Документация
tmixxn110n65c4h1.pdf
