КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыIGBTIXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1, Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX4™,XPT™, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXXN110N65B4H1
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX4™,XPT™
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Ic: 110А; SOT227B; винтами; винтами; 750Вт; GenX4™,XPT™ Технические параметры
    • Case: SOT227B
    • Collector current: 110A
    • Collector-emitter voltage: 650V
    • Electrical mounting: screw
    • Gate - emitter voltage: ±20V
    • Manufacturer: IXYS
    • Module type: IGBT
    • Mounting: screw
    • Power dissipation: 750W
    • Pulsed collector current: 650A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Technology: XPT™